Abstract FR:

Nous developpons un calcul numerique particulierement flexible et efficace, fonde sur le principe variationnel utilisant une approximation adiabatique pour calculer les energies des excitons confines dans tous types d'heterostructures semiconductrices. Nous detaillons la methode generale de calcul ainsi que quelques astuces permettant d'augmenter vitesse et precision. Nous discutons la precision obtenue avec diverses approximations et demontrons qu'il est indispensable d'utiliser un modele a fonction d'essai tridimensionnelle si l'on veut bien decrire les excitons dans des situations-limites (excitons de type ii, puits peu profonds, puits etroits, superreseaux,. . . ) ou l'interaction coulombienne controle l'extension du mouvement des porteurs suivant l'axe de quantifiquation. Ceci se revele particulierement crucial en ce qui concerne le calcul des forces d'oscillateur. Le modele est applique a des situations realistes (puits gaas-alas, cdte-(cd, mn)te, effet wannier-stark dans les superreseaux,. . . ).