Abstract FR:

Le nitrure de gallium, gan, est un semiconducteur iii-v a bande interdite large (3. 5 ev) et directe, utilise dans des dispositifs optoelectroniques avec son alliage ingan. On etudie d'abord les excitons de gan dans une perturbation exterieure : ceci comprend une etude des excitons libres sous champ magnetique (mesure de l'eclatement zeeman) par reflectivite sous champ magnetique avec un systeme de modulation de la polarisation. Ensuite vient une etude du gan sous une contrainte uniaxiale due au substrat, qui permet d'estimer la constante d'interaction d'echange de spin electron-trou dans les excitons. Cette these decrit ensuite des experiences de photoluminescence resolue en temps dans gan contenant des dopants (non intentionnels) et dans des structures avec l'alliage ingan. On s'interesse d'abord a la bande des paires donneur-accepteur (a 3. 2 ev), dont le comportement est explique par une theorie simple. Enfin, des puits quantiques multiples de ingan dans gan sont etudies, egalement par photoluminescence resolue en temps, y compris en controlant la polarisation lumineuse afin d'observer la relaxation de spin. Les differents (nombreux) phenomenes intervenant dans le probleme, dont les champs electriques dans les puits quantiques, sont consideres et, autant que possible, leur role respectif est determine.