Abstract FR:

La premiere partie de ce travail presente des resultats de magnetooptique obtenus sur des heterostructures de semiconducteurs semimagnetiques cdte/(cd,mn)te. Sous l'action d'un champ magnetique, le decalage des bandes de conduction et de valence dans les deux materiaux varie, du a un effet zeeman geant dans les barrieres semimagnetiques. Pour un champ magnetique critique on peut observer la transition type i-type ii. Nous presentons des resultats de magnetoreflectivite obtenus sur des puits quantiques etroits. La transition excitonique e#1hh#1 suit un comportement normal en champ magnetique. Une structure additionnelle, attribuee a une transition excitonique e#1hh#3 est observee pour un champ superieur a trois tesla. Elle n'est pas observee sur des puits plus larges. La comparaison avec un modele variationnel dans l'approximation de la fonction enveloppe nous permet de determiner un offset relatif de bande de valence de l'ordre de 23%. L'influence du choix du modele, en particulier de la fonction d'essai bi- ou tridimensionnelle, sur la valeur de l'offset est discutee. La seconde partie est consacree a la fabrication et a la caracterisation de points quantiques. Les techniques employees sont la lithographie par faisceau d'electrons et la gravure ionique reactive dans un melange methane/hydrogene/oxygene. Des colonnes presentant un facteur d'aspect eleve ont ete obtenues. L'influence des parametres de la gravure ionique reactive sur la qualite des structures realisees est examinee. Nous presentons egalement les premiers resultats de photoluminescence sur ces echantillons. Un deplacement vers les hautes energies des transitions excitoniques dans les points quantiques est observe par rapport au materiau de reference. L'origine de ce deplacement est discute en termes d'interdiffusion et/ou relaxation de la contrainte