Abstract FR:

Ce memoire est consacre a l'etude des proprietes optiques du compose semiconducteur zns et d'un super-reseau zns-znse forme de 45 periodes de 33 a de zns et 37a de znse, epitaxiees par movpe. Les mesures experimentales et les calculs theoriques de la reflectivite (par le modele de la dispersion spatiale a deux oscillateurs) permettent de determiner les proprietes des differentes couches fabriquees a differentes temperatures. Ces resultats joints a la mesure des rapports des intensites des pics de photoluminescence montrent que la couche epitaxiee a 300c presente la meilleur qualite optique, comparativement aux autres couches. L'observation en photoluminescence de l'eclatement exciton lourd exciton leger a permis de calculer la contrainte thermoelastique dans les couches epitaxiees sur le substrat gaas. En ce qui concerne le super-reseau zns-znse, deux transitions caracteristiques du confinement quantique et de l'effet de la contrainte sont observees sur le spectre de reflectivite: e#1hh#1 a 2,915 ev et e#1lh#1 a 3,051 ev. Le calcul base sur le modele de la fonction enveloppe et sur la determination des offset de bande, permet de determiner theoriquement les energies de ces transitions. Le spectre de photoluminescence est domine par une transition intense due au piegeage des excitons sur l'impurete isoelectronique formee par le tellure inclu volontairement dans la structure. Le comportement de cette transition, en fonction de la temperature est analyse dans le contexte du diagramme en coordonnees de configuration