Abstract FR:

Le nitrure de gallium est un materiau semiconducteur a grande largeur de bande interdite. Combine avec inn et aln des alliages ternaires associes, il est possible de realiser des dispositifs electroniques et optoelectroniques avances pour applications sous conditions hostiles. Nous utilisons diverses experiences d'optiques, pour etudier et caracteriser le materiau gan epitaxie sur saphir. Nous etudions l'evolution des energies de transitions excitoniques en relation avec la contrainte residuelle dans la couche. Nous determinons les valeurs des parametres de champ cristallin et de couplage spin-orbite pour la bande de valence fondamentale. En etudiant l'influence de la temperature, nous estimons les temperatures de debye et d'einstein.