Abstract FR:

Dans ce travail, nous presentons des mesures de conductivite et de magnetoresistance negative effectuees sur des superreseaux gaas-alas quasi-3d et quasi-2d. Ces mesures ont ete faites dans la gamme de temperature 0. 3 k<t<30k avec un champ magnetique allant jusqu'a 1 tesla. Nous avons par ailleurs utilise la propriete interessante qu'est la phoconductivite persistante particuliere aux systemes a centres dx pour augmenter la conductivite des echantillons. Nous avons utilise aussi bien une approche perturbative que self-consistante (recemment etablie) de la theorie de localisation faible pour modeliser les resultats experimentaux. L'accent a ete mis sur ce dernier modele etant donne que nos echantillons se presentent dans une region proche de la transition metal-isolant. Nous avons aussi discute l'aspect anisotrope des echantillons etudies en termes d'anisotropie de la constante de diffusion elastique et/ou du temps de diffusion elastique suivant la nature de la surface de fermi (propagative ou diffusive). Enfin, nous avons inclus la deuxieme correction quantique a la conductivite de boltzmann qui est l'interaction electron-electron ; l'ajustement theorique a ete de fait nettement ameliore. L'information physique importante qui a ete deduite de la modelisation est que le temps de coherence de phase # varie en t#-#1 ; ceci implique que les collisions electron-electron dans le regime sale (dirty limit) sont responsables de la perte de coherence de phase independamment de la modulation de dopage dans les superreseaux quasi 3-d.