Abstract FR:

Les applications des nitrures et notamment du ternaire algan sont nombreuses tant dans le domaine de la detection uv que pour des applications a l'electronique de puissance, ou l'hyperfrequence. Cependant il ressort unanimement des composants existants, qu'une limitation essentielle de leurs performances reside dans la qualite du materiau. Nous avons entrepris une etude de la croissance de gaaln par movpe dans toute la gamme de composition du ternaire. Les caracterisations structurales telles que diffraction x, microscopie electronique a balayage et microscopie electronique a transmission ont mis en evidence la necessite de definir une temperature d'elaboration optimum pour chaque composition de l'alliage afin de maintenir un regime de croissance bidimensionnel, propre a l'obtention d'un materiau de bonne qualite cristalline. Nous avons modelises l'incorporation de l'aluminium dans la phase solide a partir de la fraction d'al introduite en phase vapeur, afin de mieux controler la composition du ternaire dans des conditions de croissance donnees. Enfin, nous nous sommes interesse a la structure microscopique de gaaln a partir d'une approche thermodynamique basee sur le modele de keating (pour l'enthalpie) et la methode de variation des clusters (pour l'entropie). Ce modele nous a permis de mettre en evidence les phenomenes d'ordre a courte distance ainsi que la stabilite du ternaire durant la croissance.