Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude des proprietes intrinseques des semi-conducteurs gasb(110) et gasb(100) par photoemission resolue angulairement. Les resultats experimentaux sont compares avec les structures electroniques de volume et de surface, calculees par la methode des liaisons fortes. Nous avons trouve pour la face (110) trois etats de surface situes dans la bande de valence, ce qui laisse la surface semiconductrice. Sur la surface (100), l'une des quatre bandes de surface observees se situe au sommet de la bande de valence et peut induire un ancrage du niveau de fermi. Nous avons d'autre part, suivi l'evolution physico-chimique des surfaces de gasb lors d'un depot d'aluminium en couche mince. Par spectroscopie d'electron auger, nous avons montre que le mode de croissance sur les deux surfaces (110) et (100) se fait par succession des couches uniformes interdiffusees. Pour des epaisseurs plus elevees que 10 a, il y a formation d'ilots d'aluminium contenant une petite quantite d'antimoine