Abstract FR:

Nous presentons une analyse detaillee des proprietes optiques d'heterostructures realisee en epitaxie par depot d'organometallique. Les architectures de ces heterostructures realisees a base de materiaux semi-conducteurs a grands gap vont de la simple hetero-epitaxie aux super reseaux en passant par les puits quantiques. Le controle de l'homogeneite des depots est mis en evidence a travers une approche originale utilisant la physique des excitations elementaires: nous mettons en evidence apres une modelisation semiclassique de la reflectance au voisinage des resonances excitoniques, la quantification des modes photons du polariton. Dans le cas des structures a confinement spatial des porteurs de charge, un modele complet faisant appel aux mecanismes thermo-induit de piegeage et d'echappement des porteurs de charges nous permet de rendre compte quantitativement des mecanismes physique regissant l'emission de lumiere dans ces materiaux