Abstract FR:

L'analyse des phenomenes de transport classique et quantique dans les heterojonctions gaalas-gaas laisse envisager l'existence d'etats additionnels, situes a l'interface de l'heterojonction. En effet, d'une part, l'analyse de la mobilite des electrons du canal 2d revele que les valeurs theoriques de la mobilite sont toujours superieures aux valeurs experimentales. Ceci met en evidence l'existence d'un mode de diffusion supplementaire que nous attribuons aux etats situes a l'interface de l'heterojonction. D'autre part, l'etude de l'equilibre des charges dans l'heterojonction montre que le transfert calcule d'electrons, depuis les etats donneurs de gaalas vers le canal bidimensionnel de gaas est toujours inferieur a la valeur experimentale. Nous expliquons cette difference par la contribution au transfert des etats d'interface de type donneur. Ceci permet egalement d'expliquer les variations (decroissance) de la densite d'electrons ns avec la temperature entre 77k et 4. 2k (on tient compte du caractere metastable des donneurs si de la couche de gaalas dope. Nous etudions par la suite l'effet hall quantique. Nous montrons que l'hypothese d'un systeme 2d d'electrons non isole permet d'expliquer parfaitement les resultats experimentaux sans avoir recours au concept de localisation. Les etats d'interface peuvent encore une fois jouer le role de reservoir pour le systeme 2d et permettent le freinage du niveau de fermi. Condition necessaire pour la formation des plateaux de hall