Abstract FR:

Apres un rappel des theories qui permettent d'evaluer les caracteristiques courant-tension (i-v) d'un contact metal-semiconducteur, les principes de formation d'un contact ohmique sont etablis. L'etude experimentale a porte sur les contacts augeni/gasb de type n et auzn/inas de type p. La caracterisation de ces contacts a ete effectuee en mesurant la resistance specifique du contact p#c par la methode de schockley. Le role essentiel du recuit (temperature, duree) a ete mis en lumiere. Les conditions d'obtention de contacts avec des resistivites inferieures a 10##6 cm#2 sont definies