Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale et a l'etude des super-reseaux a grand gap znse-znte. Les applications potentielles de ce systeme concernent l'opto-electronique (emission dans la gamme bleue du spectre visible). La technique de croissance utilisee est l'epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques (movpe). La technologie de l'equipement a ete optimisee en vue d'obtenir des interfaces abruptes et les conditions de croissance optimales ont ete determinees. Les echantillons ont ete caracterises d'un point de vue structural (diffraction x, etocaps, microscopie. . . ) et electronique (photoluminescence, reflectivite). La structure de bande est discutee en fonction de la nature de la couche tampon qui determine l'etat de contrainte de l'heterostructure