Abstract FR:

Ce travail porte sur l'analyse des donnees de photoemission resolue angulairement a l'aide du modele des liaisons fortes. La methode decrite a ete appliquee a deux composes ii-vi, cdte et hgte pour la face de clivage (110). L'intensite des bandes de surface et de volume est obtenue dans le cadre du modele a une etape. Apres avoir calcule la repartition des etats electroniques dans une lame de 20 monocouches du materiau, nous avons represente l'intensite de photoemission pour la meme geometrie que les donnees experimentales, sous la forme d'images dans le plan (e#i, k#/#/). Nous avons montre l'existence de trois groupes d'etats de surface lies aux trois bandes de volume (trous lourds, trous legers et bande de split-off) et mis en evidence la reconstruction de la surface. Notre conclusion est que la methode des liaisons fortes convient bien au calcul de l'intensite de photoemission des composes ii-vi car les orbitales de valence sont fortement localisees et parce qu'une seule orbitale atomique (p-anion) est a l'origine de l'essentiel de l'emission observee