Abstract FR:

Des superreseaux zns-znse elabores par metal organic vapor phase epitaxy (movpe) ont ete analyses optiquement. Un modele, a ete developpe a l'echelle atomique pour comprendre les effets perpendiculaires et interfaciaux d'une croissance coherente, le desordre et les dislocations, et la relaxation locale des contraintes. Ces resultats theoriques sont compares aux resultats experimentaux. Les spectres de photoluminescence ont ete analyses par deconvolution a l'aide de deux gaussiennes. La dependance en temperature de la position energetique du pic, de la largeur a mi-hauteur et de l'intensite integree de photoluminescence sont fittes a l'aide de modeles theoriques. Les experiences de reflectivite et de photoreflectivite ont ete effectuees. Un modele utilisant la dispersion spatiale en fonction du puits est utilise pour fitter les spectres de reflectivite