Abstract FR:

On depose, par transport en phase vapeur sous pression reduite d'un plasma gazeux pcl#3+nh#3+h#2 active, des couches de nitrure de phosphore sur face (100) d'un substrat de inp massif ou epitaxie par omcvd. La spectroscopie des etats d'interface est faite sur des diodes au-(pn)-inp par analyse des courbes c-v et par transitoires de capacite (d. L. T. S. ). La distribution en u observee, avec deux maximas a e#c-0. 1 ev et a e#c-0. 7 ev est attribuee aux lacunes de phosphore. La localisation en energie des etats de symetrie a#1 et t#2 de la lacune v#p est calculee en liaisons fortes en utilisant un cluster de 17 atomes. L'accord avec les observations experimentales est satisfaisant