thesis

Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux

Defense date:

Jan. 1, 1990

Edit

Institution:

Montpellier 2

Disciplines:

Materials science and engineering

Authors:

Directors:

Abstract EN:

Pas de résumé disponible.

Abstract FR:

Cette these presente des travaux sur la croissance par epitaxie par jets moleculaires (ejm) et la caracterisation des proprietes physiques des composes semi-conducteurs gasb et ga(al)sb. Nous avons etudie: a) la preparation des substrats gasb(001) en vue de l'epitaxie; b) les proprietes des surfaces gasb et alsb(001); c) la croissance du gasb sur gaas(001); d) l'elaboration et l'etude des proprietes optiques et structurales de puits quantiques et superreseaux a base de gasb/ga(al)sb