Abstract FR:

Le travail presente porte sur la caracterisation des defauts electriquement actifs dans le volume de l'oxyde et aux interfaces de structures m. O. S. , realisees sur du silicium oxyde thermiquement, avec 150 a d'oxyde. Des couches minces metalliques de chrome ont ete deposees sur l'oxyde sous forme d'electrodes (grilles) semitransparentes afin de pouvoir injecter, par photoemission interne, des porteurs dans l'oxyde et simuler ainsi les phenomenes de vieillissement des dispositifs m. O. S. Nous avons observe des modifications importantes de l'etat de charge de l'oxyde et des interfaces sous l'effet de l'irradiation uv. Ces modifications dependent peu de la polarisation appliquee a la structure et varient en fonction de l'energie h des photons incidents, du dopage et des recuits. L'exploitation des caracteristiques c(v) et photo i(v) au moyen de modeles theoriques, adaptes aux faibles epaisseurs d'oxydes, a montre que l'irradiation par des photons de 4 a 5 ev diminue la charge moyenne dans l'oxyde mais s'accompagne de la creation de defauts d'interface en quantite superieure, pouvant atteindre 10#1#2 pieges/cm#2. Cet effet diminue considerablement la qualite des composants realises sur des oxydes irradies