Abstract FR:

Mon travail presente les proprietes optiques et electroniques des fils quantiques (110) et des superreseaux (311). Premierement, j'etudie la densite de probabilite du premier niveau de conduction, du premier et du deuxieme niveau de valence de six echantillons de fils quantiques (quatre fils quantiques orientes: z648, z671, z682 et z694 et deux fils quantiques desorientes: z698 et z699). La comparaison avec les resultats experimentaux (confinement des niveaux d'energies) est satisfaisante. Deuxiemement, j'etudie les proprietes electroniques des superreseaux gaas/alas (311) a l'interieur de la zone de brillouin en utilisant les parametres tight binding de l'hamiltonien. La nature et la localisation du bas de la bande de conduction pour ces structures de faible symetrie est etudiee et leur origine est aussi etudie en fonction du nombre de couches. La transition du gap direct vers le gap indirect a lieu pour l = 3 nm qui est egale a l'epaisseur pour laquelle le croisement des etats -x a lieu dans les superreseaux (100). Troisiemement, je decris l'anisotropie dans le plan (311) des transitions optiques et l'intensite relative depend du nombre de couches et de la nature des etats qui contribuent a la transition. La comparaison avec les resultats experimentaux est aussi satisfaisante