Abstract FR:

Le manuscrit est divise en deux parties: 1) la premiere partie presente une etude comparative des proprietes electriques des couches polysilicium implantees bore et recuites soit de facon conventionnelle (rtc), soit de facon rapide (rr). Cette etude a permis de mettre en evidence l'existence de joints de grain electriquement inactifs dans le cas du recuit rapide isotherme; 2) la deuxieme partie presente une caracterisation electrique de transistors mos-hall irradies aux electrons. L'irradiation a ete faite suivant un reseau de traits paralleles et perpendiculaires a la direction drain-source de facon a obtenir un profil de potentiel proche de celui du materiau polycristallin idealise. Cette etude a constitue une approche quantitative de la conduction electrique dans les semiconducteurs polycristallins