Abstract FR:

Ce travail detaille les proprietes electroniques d'echantillons semiconducteurs de basse dimensionalite constitues par des puits quantiques gaas-(gaal)as epitaxies selon la direction 311. Une analyse theorique de la structure electronique de ces echantillons a ete developpee, en utilisant le modele des fonctions enveloppes. Ce modele a permis d'interpreter les etats electroniques dans nos echantillons et de suivre leurs evolutions ou melanges lorsque la symetrie cristalline est reduite par application de diverses perturbations mecaniques telles que contrainte uniaxiale, biaxiale ou pression hydrostatiques. Des mesures experimentales ont ete realisees dans un deuxieme temps et l'accord theorie experience s'est avere excellent ce qui justifie a posteriori l'utilisation du formalisme des fonctions enveloppes pour decrire les etats quantiques dans les semiconducteurs de basse dimensionnalite