Abstract FR:

Nous presentons, a partir de mesures capacitives, des methodes de determination des discontinuites de bandes de conductions et des densites surfaciques de defauts aux interfaces des heterostructures. Notre demarche consiste a ne pas fitter les courbes experimentales et, en adoptant quelques hypotheses simplificatrices, de donner des expressions facilement exploitables de ces parametres. Dans ce travail nous appliquons cette demarche a differentes categories d'heterostructures: heterojonctions, puits quantiques simples, multipuits quantiques. Dans ce dernier cas, une separation des courants thermoionique et tunnel dans la reponse dlts en a permis une approche tres simple