Abstract FR:

Nous avons etudie des dispositifs photodiodes reposant sur des contacts redresseur du type pb/p-pbse. Les couches minces de pbse ont ete elaborees par epitaxie par jets moleculaires (ejm). Cette etude est basee sur la modelisation des processus de conduction du courant a travers la barriere (courant par effet tunnel, generation-recombinaison, diffusion, courant de fuite). Des mesures de caracteristiques i(v) entre 4-300k et c(v) a 77k ont ete realisees. Des resultats experimentaux de capacite presentent une dependance lineaire de c#-#2(v). L'etude des caracteristiques i(v) a mis en evidence qu'a basse temperature le courant par effet tunnel est dominant et alors qu'a la temperature ambiante le courant est limite par la resistance serie du contact (diffusion dans le volume du semiconducteur). Les hauteurs de barrieres determinees a partir de caracteristiques i(v) et c(v) ont permis de mettre en evidence l'existence d'une couche d'inversion a l'interface pb/p-pbse. Nous montrons que la presence d'une couche d'inversion altere considerablement la valeur de la hauteur de barriere