Abstract FR:

Dans le domaine de l'électronique basée sur des substrats de SiC (hautes températures, hautes fréquences, fortes puissances), la production de masse des composants est encore limitée par la qualité, la taille et le coût des substrats monocristallins. Une des motivations du projet régional dans lequel s'inscrit cette thèse est de développer un savoir-faire scientifique et technique sur "élaboration de SiC polycristallin adapté aux technologies de report de films minces monocristallins (Smart Cut de SOITEC) qui permet de réduire le coût des plaquettes par la réalisation de quasi-substrats. La réalisation de substrats pour le report nécessite à la fois de fonctionnaliser la surface (flèche, rugosité résiduelle. . . ) et de contrôler la microstructure et les propriétés de masse (conductivités électriques et thermiques) afin de permettre et d'optimiser les étapes d'adhésion moléculaire ainsi que le fonctionnement des dispositifs. Les polycristaux ont été élaborés par des techniques de croissance massive gaz-solide (CVD, PVT et CF-PVT). Des caractérisations multi-échelles (MES, ESSD, spectroscopie Raman et profilométrie)