Abstract FR:

La première partie de la thèse traite de la modélisation de la détection piézorésistive. Nous avons choisi une approche "microscopique", faisant appel au modèle de vallées et à la formulation de transport des électrons (équaton de Boltzmann). Ce choix nous a permis de proposer les expressions des coefficients piézorésistifs linéaires et non-linéaires qui incluent les effets de la température et du dopage de type N. Nous avons évalué les coefficients piézorésistifs, dits équivalents, dans un repère tourné quelconque et nous avons étudié leur évolution en fonction des angles, du dopage et de la température (. . . ). L'autre partie concerne l'attaque chimique anisotrope isotherme (T=80°C) et isochrone, d'échantillons de silicium {hko} plongés dans une solution aqueuse de Tétraméthyl Amonium Hydroxyde (TMAH) à 25% massique. Une étude systématique des états géométriques de surface et des modifications des profils de non-circularité a été menée. Elle a permis une première détermination de la surface de la lenteur de dissolution de ce bain d'attaque. La caractérisation de l'anisotropie a été poursuivie en réalisant des structures 3D simples de type membrane et mesa, puis plus complexes, de type poutres encastrées, sur des orientations {hko} et {hhl}.