thesis

Modulateur linbo3 à faible chirp par inversion de domaine ferro-électrique

Defense date:

Jan. 1, 2002

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Institution:

Besançon

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

We propose a new Z-cut zero-chirp LiNbO3 modulator for long-haul telecommunication systems. LiNbO3 Mach-Zehnder modulators have known an increasing interest, because their small chirp parameter makes them suitable for DWDM Systems. Z-cut LiNbO3 modulators can provide both a large bandwidth and a low driving voltage, which makes them particularly promising. But Z-cut devices exhibit a non-zero chirp parameter that cannot be easily settled unless they are designed with a dual drive topology. We report a new Z-cut modulator scheme, which can yield a zero chirp modulation, with only one RF input. In fact, we show that ferroelectric domain inversion combined with phase reversal electrodes can enable a fixed chirp parameter. First, we describe the layout. The proposed modulator is detailed in a second section. A third section is devoted to the optimisation of transmission lines. Methods of characterizations are presented in the fourth section. Finally, experimental results are exposed.

Abstract FR:

Nous proposons un nouveau modulateur d'intensité LiNbO3 à chirp nul intégré sur coupe Z. Un tel modulateur présente les mêmes avantages que les modulateurs " classiques " intégrés sur coupe Z, i. E. Une faible tension demi-onde, et une large bande passante. La particularité du modulateur proposé réside dans son paramètre de chirp qui peut être ajusté à zéro à l'aide d'une seule tension pilote. Le principe de fonctionnement du modulateur repose sur l'association de l'inversion de domaine ferro-électrique avec des électrodes à inversion de phase. La première partie du manuscrit décrit le contexte des télécommunications haut-débits. Le principe de fonctionnement des modulateurs à faible chirp par inversion de domaine ferro-électrique est ensuite décrit. L'optimisation des lignes de transmission est traitée en troisième partie. La description des méthodes de caractérisation précède la cinquième partie, qui est dédiée à la fabrication et à la caractérisation des modulateurs à faible chirp.