Abstract FR:

Ce travail de thèse s'articule sur deux thèmes principaux. Le premier est la modélisation des effets piézorésistifs linéaires et non-linéaires. Le deuxième thème concerne la caractérisation des effets d'anisotropie spécifiques à l'usinage chimique du cristal de silicium dans les solutions de potasse. Cette caractérisation géométrique constitue un préalable à la réalisation de micro-dispositifs mécaniques en silicium. Une confrontation de ces deux études devrait offrir des perspectives nouvelles dans le domaine des applications "capteurs piézo-résistifs". Dans une approche "microscopique" l'origine des effets piézorésistifs linéaires et non-linéaires est liée aux modifications des structure de bande semiconducteurs induites par les contraintes appliquées. Le modèle macroscopique tensoriel proposé dès 1960 par MASON pour décrire les effets linéaires a ensuite été étendu aux coefficients piézorésistifs non-linéaires pour les cristaux semiconducteurs de la classe m3m. Des formulations analytiques nouvelles ont été développées pour exprimer les coéfficients piézorésistifs non-linéaires équivalents associés à un repère tourné. Différents exemples d'applications sont ensuite abordés. . .