Abstract FR:

Le but de ce travail consiste à établir des lois de correction des intensités diffractées par des couches minces, des bicouches et des multicouches. Ces lois vérifiées expérimentalement, sont indispensables à l'étude quantitative des textures cristallographiques des couches minces. Deux géométries de diffraction sont souvent utilisées : Bragg-Brentano et faible incidence. Pour des couches de très faibles épaisseurs, l'utilisation de la première géométrie est très limitée, quant à la deuxième faible incidence, elle nous permet d'augmenter le volume diffractant et par conséquent les intensités diffractées. Nous avons particulièrement étudié et comparé deux techniques géométriques qui sont la méthode de Schulz et la méthode des multi-figures de pôles MFDP appliquées à la faible incidence. Nous avons montré que la goniométrie de texture peut apporter des informations précises pour des couches minces dont l'épaisseur est de quelques centaines d'angstroms et pour des multicouches à bicouches alternées. Les multicouches étudiées (Fe+Al)/Si, pour lesquelles les lois de corrections ont été élaborées pour une incidence quelconque, nous ont permis de définir parfaitement la relation l'orientation de l'aluminium et du fer par rapport au silicium