Abstract FR:

Les travaux presentes ont pour objectif la realisation de modeles d'interrupteurs de puissance bidirectionnels en tension obtenus par association en serie de transistors et de diodes, et l'application de ces modeles a l'etude des commutations des interrupteurs bidirectionnels totalement commandables (ibtc). Le premier chapitre presente les differentes cellules de commutation, de la cellule elementaire a la cellule a quatre quadrants, en prenant la bidirectionnalite en tension comme critere de classification. Le chapitre ii passe en revue les differentes methodes utilisees pour modeliser les interrupteurs de puissance a semi-conducteur. Pour reduire la complexite des problemes poses par l'association de deux composants bipolaires, les transistors choisis sont du type mosfet, qui se pretent plus facilement a la modelisation comportementale. Pour les diodes, des hypotheses simplificatrices sont necessaires pour garder au modele une taille compatible avec l'utilisation envisagee. Les chapitres iii et iv sont consacres a l'elaboration des modeles comportementaux et a la modification des modeles spice de diode et de transistor mos destines a etre associes dans les cellules de commutation. Ces differents modeles sont ensuite assembles morceau par morceau pour etre valides en comparant les releves experimentaux et les resultats de simulation.