Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la prise en compte de la nature distribuee de la dynamique des charges, dans la modelisation du transistor bipolaire de puissance destine a la conception assistee par ordinateur des circuits. Pour cela, nous proposons une methode de resolution analogique de l'equation de diffusion ambipolaire dans la zone de stockage de charge, basee sur une representation spectrale de la repartition des porteurs. Cette methode nous conduit a traiter un systeme de n equations differentielles du premier ordre, qui peut etre traduit sous forme de circuit electrique equivalent du type ligne rc serie. Ces lignes rc, a parametres variables dans le temps, representent le noyau de calcul du modele a partir duquel nous deduisons les grandeurs physiques internes responsables du comportement externe du dispositif. Ce noyau est complete par la representation des regions de base physique et d'emetteur traitees de maniere localisee, ainsi que l'influence du courant de deplacement, de la charge des porteurs en transit et du profil de dopage. Enfin, une comparaison simulation experience dans un environnement circuit simple mais realiste, mettant en evidence les interactions composant-circuit, montre le bien fonde de cette approche