Abstract FR:

Ce memoire traite de la modelisation fine de composants semiconducteurs a l'aide d'elements lineaires par morceaux (resistances, inductances, sources de courant et tension, etc. . . ) et utilisables, par exemple, dans le progiciel de simulation success. Tout d'abord, nous avons developpe et valide un modele de diode pin, qui rend compte des principaux phenomenes observes experimentalement, en particulier lors de la commutation de la diode au blocage. A partir des resultats obtenus avec la diode, nous avons concu des modeles de transistor bipolaire et de gto. Puis nous avons caracterise l'environnement de ces semiconducteurs. La derniere partie de ce memoire est consacree aux applications aux cellules de commutation a transistor bipolaire (etude de la commande rapprochee des composants et des interactions puissance/commande)