Abstract FR:

Une technique de depot combinant la pulverisation d'une cible de gallium et la decomposition de l'arsine est utilisee pour realiser des couches minces d'arseniure de gallium amorphe hydrogene. La correlation lineaire observee entre le rapport des raies d'emission optique de gallium et d'arsenic et la compositon des films deposes permet d'obtenir des alliages de composition souhaitee. Les caracteristiques physico-chimiques des echantillons portent sur la determination de leur composition (edax) et leur morphologie (diffrction et microscopie electronique): les films deposes sur verre sont amorphes, par contre les depots sur silicium monocristallin presentent une structure colonnaire et ceux sur metal sont polycristallins. Les profils sims montrent l'homogeneite et la repartition de o, h et c en epaisseur. L'analyse xps indique la presence de liaisons fausses as et la fixation preferentielle de o et de h sur le gallium. Les proprietes electriques sont determinees par mesures de i(v) et de courants thermostimules sur des films en configurations coplanaire et sandwich. Les proprietes optiques sont etudiees par spectrophotometrie et par spectroscopie de deflexion photothermique (pds). Les films stchiometriques deposes avec une faible quantite d'hydrogene dans la decharge et une temperature de depot de l'ordre de 100c presentent les valeurs suivantes: energie d'activation 0,57 ev; gap optique 1,25 ev; energie d'urbach de 82 a 100 mev. Une tentative de dopage est realisee et les raisons pouvant expliquer l'absence de dopage dans le gaas amorphe sont developpees