Etude d'associations MOS-Thyristors intégrées : caractérisation du Thyristor MOS et de l'Opto Thyristor MOS : Etude de la protection en température
Institution:
Toulouse 3Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Le travail presente dans ce memoire concerne l'etude des associations mos-thyristors de type mct, et porte particulierement sur deux dispositifs realises dans notre laboratoire selon le concept d'integration fonctionnelle: le thyristor mos et l'opto thyristor mos. Ces deux structures different entre elles par l'integration d'une commande optique. Dans la perspective d'analyser les potentialites de ces interrupteurs de puissance, nous les avons caracterises en statique et en dynamique et montre l'avantage du dispositif optique propose pour resoudre les problemes d'isolation galvanique. Les performances mesurees, notamment sur le temps de desamorcage tq et la tenue en dv/dt, sont interessants: dans le cas du thyristor mos par exemple, cette tenue en dv/dt est de l'ordre de dix fois plus eleve que celle relevee sur une structure thyristor classique. Une etude comparative a ete realisee sur l'opto thyristor mos pour analyser l'influence des elements de detection et de validation de la commande optique sur les performances en commutation de l'interrupteur. Nous terminons par l'etude d'une protection en temperature destinee a l'opto thyristor mos. La mesure de la temperature est basee sur les proprietes de la jonction p-n et les performances du circuit retenu permettent d'envisager une integration de cette protection au sein de la structure semiconductrice de l'interrupteur en reduisant au minimum les differentes etapes technologiques