Abstract FR:

Avec la réduction des transistors à 0. 1 micron et moins, de nouveaux effets physiques apparaissent que les simulateurs standard en 2D ne considèrent pas. Pour décrire correctement le fonctionnement de tels composants, il faut donc affiner les outils de simulation et les adapter pour tenir en compte ces phénomènes. Le cadre général de ce travail s'inscrit dans cette optique. Au cours de cette thèse, nous avons élaboré deux simulateurs distincts pour étudier les composants submicroniques. Ces deux outils ont été développés dans un environnement à éléments finis, par une résolution 3D et autonome des équations de Boltzmann et de Poisson. Le 1er simulateur est basé sur une approche déterministe par le modèle de dérive diffusion, et le 2e est basé sur une approche stochastique par le de modèle Monte-Carlo. Ces deux outils constituent une contribution importante à la modélisation des composants, et peuvent être utiles même hors du contexte des petits composants. Éventuellement, ils peuvent être réunis dans un seul simulateur hybride qui combine les deux modèles de Monte-Carlo et de dérive diffusion