Characterisation of 3. 3kV IGCTs for medium power applications
Institution:
Toulouse, INPTDisciplines:
Directors:
Abstract EN:
Le développement des IGCT Basse Tension (3. 3 kV) vise un composant capable de travailler à fréquence élevée (>1 kHz) tout en gardant sa capacité "fort courant" (4kA). L'objectif final est d'augmenter les performances dynamiques des convertisseurs moyenne/forte puissance et d'étendre ainsi leur champ d'application. Pour la caractérisation des échantillons expérimentaux des IGCT 3. 3 kV, un banc d'essais basé sur une méthode d'opposition a été développé. Cette méthode permet l'évaluation des composants sous différentes conditions d'essai en mode de fonctionnement réel sans nécessité de sources d'alimentation de plusieurs MW. Une fois les échantillons caractérisés, l'analyse de l'applicabilité de ces composants dans des applications spécifiques aux réseaux ferroviaires SNCF est abordée. Finalement, une application de compensation de puissance réactive pour des réseaux monophasés a été étudiée en détail et une maquettte de 100 kVAR à base de IGCTs a été réalisée.
Abstract FR:
The Low Voltage IGCT (3. 3 kV) is developed to provide a semiconductor able to work at high switching frequencies (>1kHz), preserving its "high current" capacity (4kA). The ultimate goal is to increase the dynamic performances of medium/high power converters, thus extending their application field. To characterise the experimental samples of 3. 3kV IGCTs, an opposition method based test bench was developed. This method allows the components to be evaluated at different test conditions in real operation without the need of several megawatt power supplies. Once the samples were characterised, the applicability analysis of these components on specific applications related to the French railway network (SNCF) is performed. Finally, a reactive power compensation application for single-phase systems is studied in detail and a 100kVAR IGCT based set up is built.