Abstract FR:

Etude des composants de type "thyristor a gachette isolee" pour les applications en haute tension, forte puissance. On presente des associations monolithiques de composants mos et bipolaires, en precisant les modes possibles de declenchement. On propose une nouvelle approche: substituer une grille mos a la region de gachette des transistors classiques garantissant ainsi, a priori, les capacites bien superieures en tension et en courant. Une modelisation tres poussee des thyristors a commande isolee est effectuee. Conception et realisation d'un thyristor a gachette amplificatrice mos