thesis

Modélisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfréquence du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Electrical engineering

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Formulation des mécanismes physiques internes du T. E. C. En dynamique. Simulation du fonctionnement du T. E. C. En amplification classe A. Compréhension du comportement global du T. E. C. En amplification de puissance ; mécanismes limitatifs fondamentaux.