thesis

Étude des niveaux profonds à l'interface GaInAs/InP : influence sur le courant d'obscurité de photodiodes réalisées par MOCVD

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Electrical engineering

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Réalisation et caractérisation de diodes GaInAs/InP. Mécanismes physiques à l'origine du courant d'obscurité. Méthodes capacitives appliquées à la caractérisation des photodiodes. Étude expérimentale du courant d'obscurité. Interprétation en termes d'émission thermoïonique à partir de centres profonds. Analyse capacitive des diodes MOCVD. Simulation du profil de concentration apparente de l'hétérojonction GaInAs/InP en présence de pièges.