Spécification de matrices prédiffusées par BiCMOS par lithographie gravure par écriture directe à l'aide d'un faisceau laser HeCd
Institution:
Bordeaux 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
La methode de lithographie par ecriture directe par faisceau laser est utilisee pour le prototypage rapide des circuits integres analogiques durant les phases de developpement. Le premier chapitre de ce manuscrit est consacree a l'etat de la photo-lithographie, qui permet de degager les principaux phenomenes physiques intervenant et les parametres les plus influants lors de cette etape de fabrication de circuits integres. Les insolations par les photorepeteurs, les resines photosensibles. Le second chapitre est consacree la technique de lithographie gravure par ecriture directe a l'aide d'un faisceau laser hecd et son procede technologique associe. Ainsi que son application a la personnalisation d'une matrice prediffusee bipolaire. Le troisieme chapitre est dedie aux asics, a leur methodologie de conception et au developpement des matrices prediffusees. Une distinction claire est presentee entre les circuits specifiques et semi-specifiques ; une approche concernant le choix de la decision entre circuits programmables et circuits prediffusees fait apparaitre le seuil de rentabilite. La deuxieme partie presente la realisation de deux matrices prediffusees en technologie bicmos ams 0,8 m en decrivant le procede technologique, les caracteristiques des elements de base bipolaires et mos et la structure des matrices. Les deux derniers chapitres sont consacres a la caracterisation electrique des transistors bipolaires et mos de la technologie bicmos 0,8 m de ams et a la personnalisation des matrices prediffusees bicmos par la technique de lithographie gravure par ecriture directe a l'aide d'un faisceau laser hecd. La mise au point a necessite une analyse de defaillance plus particulierement axee sur la qualite des contacts mettant en uvre notamment de l'analyse edx. Nous avons detecte la presence d'une couche d'accrochage de titane. Des solutions technologiques sont proposees pour eliminer ses phenomenes. L'application a concerne une source de tension bandgap, des amplificateurs operationnels de trabsconductance ou large bande ou encore de tension et enfin un oscillateur controle en tension.