Abstract FR:

Ce travail contribue a l'etude des mecanismes physiques qui peuvent etre responsable de la degradation des caracteristiques electriques des structures mos. Un grand nombre de resultats a ete obtenu et publie sur les structures al/sio#2/si, mais peu de travaux ont ete consacres aux structures plus recentes wsi#2-polysi/sio#2/si. Or la stabilite electrique des structures mos depend d'une maniere extremement sensible du moindre detail technologique car le vieillissement de ces composants est controle par plusieurs mecanismes physico-chimiques agissant en parallele. L'originalite de ce travail reside dans l'utilisation conjointe de methodes de caracterisations classiques c-v ainsi que de mesures directes des hauteurs de barrieres aux interfaces si/sio#2 et grille/sio#2 par la technique de photoemission interne. Cette approche experimentale permet de dissocier l'effet de creation des charges a l'interface si/sio#2 et l'effet des modifications des dipoles d'interface dus aux modifications des liaisons chimiques, aux deux interfaces. Les resultats obtenus montrent que: 1) les contraintes electriques positive provoquent une diminution des hauteurs de barriere aux deux interfaces alors que les tensins negatives provoquent une augmentation des deux barrieres; 2) les modifications de la hauteur de barriere si/sio#2 sont attribuees en grande partie aux modifications d'une couche dipolaire qui existe a cette interface; 3) le vieillissement des composants mos depend fortement de la technologie utilisee