Abstract FR:

Une technique de révélation de défauts par attaque chimique dans le silicium (dislocations, fautes d’empilement et S-pits) a été présentée et appliquée à l’étude des couches minces épitaxiales de Si élaborées par pulvérisation ionique. La présence d’une densité importante de défauts dans les couches est corrélée à la préparation in-situ du substrat (nettoyage thermique ou décapage ionique) et des conditions d’épitaxie.