Abstract FR:

La faible activité électrique et la redistribution importante (à deux plateaux) durant le recuit, sont deux anomalies, caractéristiques de l'implantation des accepteurs (Be, Mg, Cd)dans InP et In. 53Ga. 47As. Ce travail porte sur l'étude du comportement de l'implantation Zn dans InP et In. 53Ga. 4rAs, en vue de réalisation des jonctions p+-n du type photodiode: Cette étude comporte différentes implantations (Zn, Zn+P, Zn+In, Zn+As) et conditions de recuit (recuit conventionnel : longue et courte durée, recuit rapide). La caractérisation des couches implantées et recuit est réalisée notamment par les mesures C-V électrochimiques (Polaron) et chimiques (SIMS). Notre choix de Zn est basé sur le fait que c'est la seule impureté pour laquelle on possède des données concernant la solubilité et le mécanisme de diffusion dans ces deux matériaux. Par ailleurs, malgré ses avantages, l'implantation de Zn est très peu étudiée dans InP et pas du tout dans In. 53Ga. 47As. Les résultats des recuits isochrones et isothermes ont révélé une diffusion anormale de Zn à basse température, durant les premières étapes du recuit, en particulier durant la montée en température. Ceci nous a conduit à étudier l'influence du temps de montée en température, en réalisant des recuits rapides dans le four conventionnel (R. R. F) et des recuits rapides dans un four à lampe halogène (H. L. A). Ces résultats ont mis en évidence la redistribution instantanée du Zn. Celle-ci ne peut être minimisée que dans certaines conditions d'implantation de Zn et As. Toutefois, les recuits rapides ont permis d'obtenir un profil abrupt à un seul plateau. Nous montrons que la faible activité électrique de Zn dans InP est due aux interactions Zn- défauts (que nous avons mis en évidence par des mesures de photoluminescences à basse température), plutôt que l'exodiffusion de Zn. Par contre dans In. 53Ga. 47As, l'exodiffusion de Zn joue un grand rôle pour contrôler l'activité électrique. Dans ce cas, le recuit rapide et la coimplantation de Zn et As ont permis d'augmenter l'activité électrique avec une concentration de porteurs-2x1019 cm-3, et d'obtenir un profil abrupt. Les caractéristiques des jonctions p+-n (I-V, C-V) ont confirmé la caractéristique presque abrupte des profils de porteurs.