Abstract FR:

Ce travail s'inscrit dans le cadre des projets européens esprit/jessi 8150 prompt et esprit 24038 prompt II dont l'objectif est de réaliser une chaîne de simulation de procédés de fabrication de composants semi-conducteurs multi-dimensionnelle capable de rendre compte d'effets 3D engendrés par la forte miniaturisation des transistors dans les circuits intégrés. L'importance des mailleurs dans cette chaîne de simulation tient à la difficulté de générer des maillages adaptés aux exigences des modules de diffusion des impuretés dans un substrat de silicium et d'oxydation de ce substrat. Ce mémoire fait l'inventaire des contraintes que ces modules entraînent sur le maillage d'une structure, et propose un éventail de solutions. Enfin, il décrit les outils que nous avons implantés pour générer et modifier des maillages tétraédriques, conformes, isotropes, à l'aide du critère de la sphère vide de Delaunay. Une attention particulière est portée au respect des frontières qui définissent les volumes à mailler.