Abstract FR:

Les travaux présentés s'inscrivent dans l'étude globale de la compréhension et la simulation des dégradations occasionnées par irridiation au Co-60 des composants électroniques embarqués. Un programmed'extraction de paramètres élaboré au laboratoire ainsi que l'utilisation du logiciel SPICE ont permis la simulation de l'effet de dose sur des TMOS. Simultanément, une étude expériementale des effets en dose cumulée et des effets post-irridiation a été réalisée sur des inverseurs CMOS. Elle montre l'applicabilité de la théorie linéaire dans une large gamme en débit de dose. L'utilisation de guérisons thermiques doit permettre de prédire la dégradation à long terme d'un circuit CMOS soumis aux débits de dose de l'environnement spatial.