Abstract FR:

Le travail de cette these porte sur l'etude des proprietes en commutation du vdmos a miroir de courant (sensefet, hexsense) qui integre sur la meme puce de silicium, un transistor mos de puissance et un miroir de courant. Nous avons tout d'abord analyse le principe de fonctionnement de ce composant et tire des conclusions quant a sa capacite d'assurer la fonction miroir de courant. Nous avons ensuite propose un modele spice du vdmos a miroir de courant adapte a l'etude du regime de commutation. La methode d'extraction des parametres du composant est precisee. Un modele du vdmos a miroir de courant qui prend en compte, de facon globale, l'influence de la temperature de puce est presente. Enfin, afin de valider le modele etabli, nous avons tout d'abord simule une commutation du vdmos a miroir de courant sur charges resistive et inductive. Ensuite, le comportement du modele est teste sur un circuit representatif des circuits de l'electronique de puissance qui est le bras de pont. Le probleme de la modelisation de l'effet de la temperature est analyse en tant qu'application dans deux cas. Tout d'abord, les simulations des caracteristiques en temperature sont discutees, puis l'incidence de la non-uniformite de temperature dans le composant est analysee