Abstract FR:

Dans ce mémoire, nous présentons une analyse des mécanismes de dégradation qui sont à l'origine de la dérive du comportement électrique des transistors couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné. L'étude repose sur l'évolution des grandeurs électriques caractérisant la structure MOS. Elle a permis de mettre en évidence : - la création de liaisons brisées dans la zone active du transistor, - l'augmentation des états de surface à l'interface Si02-Si:H, - l'augmentation de la température caractéristique des distributions exponentielles d'états de queue de bande. Le choix de la procédure expérimentale a permis de montrer que le processus est : - non activé thermiquement, - induit par les porteurs libres accumulés dans le canal sous effet de champ, et que la cinétique de ce mécanisme suit une loi "temps1/3". Par ailleurs, l'étude d'un transistor ambipolaire montre que la dégradation sous contrainte électrique est une composante de l'effet Staebler-Wronski. L'accumulation d'électrons libres ou de trous libres conduit, indépendamment, à l'augmentation des liaisons brisées.