thesis

Étude théorique et experimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction AlGaAs/GaAs

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Modélisation de la structure grille-hétérojonction. Caractérisation physique du transistor TEGFET. Caractérisation dynamique du composant TEGFET. Détermination du schéma équivalent.