Abstract FR:

Les systèmes de communication mobile radiofréquence (rf) utilisent actuellement, pour leur besoin en filtrage, des filtres à ondes de surface, places à l'extérieur des circuits intégrés. Ces filtres non intégrés entrainent des pertes d'insertion, occasionnées par l'interconnexion entre le filtre externe et le circuit intégré, et un encombrement conséquent lie au boitier encapsulant le filtre. Ces inconvénients ont conduit à la recherche de méthodes de conception de fonctions de filtrage intégrées adaptées aux fréquences rf. Afin d'obtenir de bonnes performances à ces fréquences, une technologie mesfet GaAs digitale est choisie, ayant des transistors nmesfet depletes et enrichis de 25 GHz de fréquence de transition. L'approche proposée est basée sur le filtrage continu transconductance-capacité. Elle permet de résoudre des problèmes d'asservissement en fréquence, en mode commun, en phase et en gain dc. Ainsi, une nouvelle technique utilisant le principe des résistances négatives, est introduite pour résoudre le problème de la valeur élevée des conductances de sortie des transistors mesfet. Ceci permet d'améliorer le gain dc de la transconductance utilisée dans le système de filtrage. Différents filtres sont implémentés et mesures a des tensions d'alimentation de 1. 9 v: a) un filtre passe-bas du 1er ordre ayant une plage d'accord s'étendant de 500 mhz à 2. 2 GHz, et présentant une erreur de gain de l'ordre de 0. 25% ; b) un filtre passe-bande du 2nd ordre de 1. 1 GHz de fréquence centrale, présentant une plage d'accord de plus de 0. 5 GHz, et ayant un facteur de qualité réglable entre 0. 65 et 1. 3 ; c) un filtre passe-bas elliptique du troisième ordre d'une fréquence de coupure de 220 mhz. Une application du filtre passe-bande propose à un système de communication mobile permet d'en évaluer les performances pour des fréquences situées autour de 1 GHz. Un facteur de bruit de l'ordre de 5. 5 dB est prévu par les simulations.