Abstract FR:

En raison de l'utilisation courante d'architectures particulièrement sensibles aux phénomènes de partage de charges, l'approche quasi-statique traditionnelle de modélisation ne suffit plus car elle conduit à des erreurs non-négligeables en simulation de circuits. Quand la complexité du circuit étudie est très faible, une simulation mixte des dispositifs et de leur environnement peut être entreprise. Ce type de simulation prend intrinsèquement en compte les phénomènes non-quasi-statiques. Pour cette raison, la première partie de cette thèse présente le développement d'un simulateur mixte 2d de dispositifs et son application a plusieurs exemples allant d'un inverseur logique simple, aux phénomènes complexes d'injection de charges dans les interrupteurs analogiques. Dans une seconde partie, trois nouveaux modèles compacts de dispositifs, prenant en compte les effets non-quasi-statiques, sont proposés. Le premier modèle, concernant un transistor bipolaire, est base sur une résolution analytique des équations de transport dans la région quasi-neutre de base. Il est montre, par rapport aux modèles existants, que les résultats petits et grands signaux sont effectivement améliorés. Deux autres modèles de transistors mos sur substrat massif ou sur film isolant (soi) sont bases sur une résolution numérique pseudo-bidimensionnelle de l'équation de poisson et des équations de transport. Compares a quelques simulations 2d de dispositif et a un modèle quasi-statique, ces modèles se révèlent être particulièrement précis et rapides. Finalement, leur application à la simulation de circuits sensibles aux effets non-quasi-statiques, comme les mémoires de courant, montre leurs avantages par rapport aux modèles quasi-statiques.