Abstract FR:

Le sommet de la bande de valence des semiconducteurs classiques est compose de deux bandes (trous lourds et trous légers). Le niveau fondamental des puits quantiques est toujours un niveau de trous lourds. Dans les composants comme les diodes a effet tunnel résonnant de type p, leur masse effective élevée est un handicap majeur pour obtenir des résonances exploitables. L'objectif de ce travail est de réaliser des puits ou la situation est inversée (niveau de trous légers fondamental) et de les utiliser pour améliorer les caractéristiques des diodes tunnel de type p en profitant de la faible masse effective des trous légers. Ceci est effectue en déposant par épitaxie par jets moléculaires des couches de semiconducteurs subissant une contrainte interne. Le premier système de matériaux que nous utilisons est alinas / gainas. La situation inversée est confirmée par des techniques de caractérisation spectroscopiques (photoluminescence et photocourant). On ne constate pourtant pas l'amélioration attendue sur les caractéristiques des diodes tunnel.