Abstract FR:

Ce travail est consacré à la simulation des mécanismes de conduction en régime balistique dans les dispositifs électroniques quantiques. Ces composants tirent parti des effets d'interférence des ondes électroniques suite à la restriction de dimensionnalité. Dans ce but, nous avons développé un ensemble de logiciels basés sur la résolution de l'équation de Schrodinger à une ou deux dimensions, indépendante ou dépendante du temps, couplée ou non a la résolution de l'équation de poisson. Dans chaque cas, une attention particulière a été portée a la modélisation de conditions aux limites absorbantes. Dans un premier temps, ces modèles ont été appliques a l'étude de l'injection bidimensionnelle dans les diodes à effet tunnel résonnant. La description quantique des processus d'injection et de fuite à travers la structure double barrière a permis d'obtenir une comparaison théorie-expérience satisfaisante en termes de densité de courant maximale et tension caractéristique sur des structures des filières GaAs et InP. Puis, nous nous sommes intéressés au transport balistique dans des structures à base de guides d'ondes électroniques obtenues par la constriction latérale d'un gaz bidimensionnel d'électrons.